n型mos管工作原理
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N型MOS管(NMOS)的工作原理是利用电压控制电流的半导体器件,具体来说,它是通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。
以下是N型MOS管工作原理的详细解释:
1. 结构:N型MOS管的基本结构包括一个P型衬底,在衬底上扩散有两个N 区域,分别作为源极(S)和漏极(D)。在源极和漏极之间有一个薄层的二氧化硅(SiO2)绝缘层,上面覆盖着一个铝金属层作为栅极(G)。
3. 导通条件:对于N沟道增强型MOS管,必须在栅极上施加正向偏压,且只有当栅源电压VGS大于阈值电压VT时,才会在漏极和源极之间形成足够的导电沟道,使得ID ≠ 0。
4. 电流控制:通过改变栅极电压VGS的大小,可以控制导电沟道的宽度,从而控制漏极电流ID的大小。当VGS增大时,沟道变宽,ID增大;当VGS减小时,沟道变窄,ID减小。
5. 关闭状态:当栅极电压VGS等于或低于阈值电压VT时,导电沟道消失或不足以支持电流流动,MOS管处于截止状态,此时ID接近于零。
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